• R-plane 1102 C-plane 0001 Wafer Sapphire Untuk Aplikasi Panjang Gelombang IR dan UV
  • R-plane 1102 C-plane 0001 Wafer Sapphire Untuk Aplikasi Panjang Gelombang IR dan UV
  • R-plane 1102 C-plane 0001 Wafer Sapphire Untuk Aplikasi Panjang Gelombang IR dan UV
R-plane 1102 C-plane 0001 Wafer Sapphire Untuk Aplikasi Panjang Gelombang IR dan UV

R-plane 1102 C-plane 0001 Wafer Sapphire Untuk Aplikasi Panjang Gelombang IR dan UV

Detail produk:

Tempat asal: Cina
Nama merek: BonTek
Sertifikasi: ISO:9001
Nomor model: Safir (Al2O3)

Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:

Kuantitas min Order: 5 buah
Harga: Negotiable
Kemasan rincian: Kaset, Guci, Paket Film
Waktu pengiriman: 1-4 minggu
Syarat-syarat pembayaran: T/T
Menyediakan kemampuan: 10000 Potongan/Bulan
Harga terbaik Kontak

Informasi Detail

Bahan: wafer safir Pertumbuhan: Metode Kyropoulos
Titik lebur: 2040 derajat C Konduktivitas termal: 27,21 W/(mx K) pada 300 K
Ekspansi termal: 5,6 x 10 -6 /K (sumbu C paralel) & 5,0 (sumbu C tegak lurus) x 10 -6 /K kekerasan: Knoop 2000 kg/mm ​​2 dengan indentor 2000g
Kapasitas panas spesifik: 419 J/(kg x K) Konstanta Dielektrik: 11.5 (sumbu C paralel) 9,4 (sumbu C tegak lurus) pada 1MHz
Cahaya Tinggi:

C-plane 0001 Sapphire Wafer

,

Kyropoulos kristal safir tunggal

,

R-plane 1102 Sapphire Wafer

Deskripsi Produk

R-plane 1102 C-plane 0001 Wafer Sapphire Untuk Aplikasi Panjang Gelombang IR dan UV

 

Metode pertumbuhan mengacu pada proses dimana ingot safir kristal tunggal diproduksi.Untuk sebagian besar wafer safir ini adalah metode Kyropoulos (disingkat Ky atau Kr).Metode Kyropoulos merupakan kelanjutan dari metode Czochralski (CZ) yang digunakan dalam pembuatan wafer silikon.Metode Kr memungkinkan produksi ingot safir kristal tunggal yang sangat besar yang kemudian dapat diproses menjadi wafer.

 

Potongan khas safir adalah R-plane (1102), C-Plane (0001), A-plane (1120), M-plane (1010) dan N-plane (1123).Orientasi mempengaruhi sifat fisik wafer safir - dan khususnya bagaimana ia mengintegrasikan dan mencocokkan kisi dengan bahan lain.

 

R-plane 1102 C-plane 0001 Wafer Sapphire Untuk Aplikasi Panjang Gelombang IR dan UV 0R-plane 1102 C-plane 0001 Wafer Sapphire Untuk Aplikasi Panjang Gelombang IR dan UV 1R-plane 1102 C-plane 0001 Wafer Sapphire Untuk Aplikasi Panjang Gelombang IR dan UV 2

 

SIFAT OPTIK SAPPHIRE Al2O3

Rentang Transmisi

0,17 hingga 5,5 mikron

Indeks bias

1,75449 (o) 1,74663 (e) pada 1,06 mikron

Rugi Refleksi

pada 1,06 mikron (2 permukaan) untuk o-ray - 11,7%;untuk e-ray - 14,2%

Indeks Penyerapan

0,3 x 10-3 cm-1 pada 2,4 mikron

dN/dT

13,7 x 10-6 pada 5,4 mikron

dn/dm = 0

1,5 mikron

 

SIFAT-SIFAT FISIK SAPPHIRE Al2O3

Kepadatan

3,97 g/cm3

Titik lebur

2040 derajat C

Konduktivitas termal

27,21 W/(mx K) pada 300 K

Ekspansi termal

5,6 x 10 -6 /K (sumbu C paralel) & 5,0 (sumbu C tegak lurus) x 10 -6 /K

Kekerasan

Knoop 2000 kg/mm 2 dengan 2000g indentor

Kapasitas panas spesifik

419 J/(kg x K)

Konstanta Dielektrik

11.5 (sumbu C paralel) 9,4 (sumbu C tegak lurus) pada 1MHz

Modulus Young (E)

335 IPK

Modulus Geser (G)

148.1 IPK

Modulus Massal (K)

240 IPK

Koefisien Elastis

C11= 496 C12= 164 C13=115
C33= 498 C44= 148

Batas Elastis Jelas

275 MPa (40.000 psi)

Rasio Poisson

0,25

 

Orientasi

R-plane, C-plane, A-plane, M-plane atau orientasi tertentu

Toleransi Orientasi

± 0,3°

Diameter

2 inci, 3 inci, 4 inci, 6 inci, 8 inci atau lainnya

Toleransi Diameter

0.1mm untuk 2 inci, 0.2mm untuk 3 inci, 0.3mm untuk 4 inci, 0.5mm untuk 6 inci

Ketebalan

0.25mm, 0.33mm, 0.43mm, 0.65mm, 1mm atau lainnya;

Toleransi Ketebalan

25μm

Panjang Datar Primer

16.0±1.0mm untuk 2 inci, 22.0±1.0mm untuk 3 inci, 30.0±1.5mm untuk 4 inci, 47.5/50.0±2.0mm untuk 6 inci

Orientasi Datar Utama

Bidang-A (1 1-2 0 ) ± 0,2°;Bidang-C (0 0-0 1 ) ± 0,2°, Sumbu-C yang diproyeksikan 45 +/- 2°

TTV

10µm untuk 2 inci, 15µm untuk 3 inci, 20µm untuk 4 inci, 25µm untuk 6 inci

BUSUR

10µm untuk 2 inci, 15µm untuk 3 inci, 20µm untuk 4 inci, 25µm untuk 6 inci

Permukaan Depan

Epi-Dipoles (Ra<0,3nm untuk bidang-C, 0,5nm untuk orientasi lain)

Permukaan Belakang

Tanah halus (Ra=0.6μm~1.4μm) atau Epi-poles

Kemasan

Dikemas dalam lingkungan kamar bersih kelas 100

 

R-plane 1102 C-plane 0001 Wafer Sapphire Untuk Aplikasi Panjang Gelombang IR dan UV 3

 

Cek Penerimaan

R-plane 1102 C-plane 0001 Wafer Sapphire Untuk Aplikasi Panjang Gelombang IR dan UV 4

 

1. Produk ini rapuh.Kami telah mengemasnya secara memadai dan memberi label rapuh.Kami mengirimkan melalui perusahaan ekspres domestik dan internasional yang sangat baik untuk memastikan kualitas transportasi.

 

2. Setelah menerima barang, harap tangani dengan hati-hati dan periksa apakah karton luar dalam kondisi baik.Buka karton luar dengan hati-hati dan periksa apakah kotak pengepakan sejajar.Ambil gambar sebelum Anda membawanya keluar.

 

3. Silakan buka paket vakum di ruang bersih saat produk akan diterapkan.

 

4. Jika produk ditemukan rusak selama kurir, harap segera mengambil gambar atau merekam video.JANGAN keluarkan produk yang rusak dari kotak kemasan!Hubungi kami segera dan kami akan menyelesaikan masalah dengan baik.

Ingin Tahu lebih detail tentang produk ini
R-plane 1102 C-plane 0001 Wafer Sapphire Untuk Aplikasi Panjang Gelombang IR dan UV bisakah Anda mengirimkan saya lebih banyak detail seperti jenis, ukuran, jumlah, bahan, dll.
Terima kasih!
Menunggu jawaban Anda.