 |
Substrat Kristal Sapphire Wafers 2 Inci C Pesawat Dipoles
Detail produk:
| Tempat asal: | CINA |
| Nama merek: | BonTek |
| Sertifikasi: | ISO:9001 |
| Nomor model: | Safir (Al2O3) |
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
| Kuantitas min Order: | 25 buah |
|---|---|
| Harga: | Dapat dinegosiasikan |
| Kemasan rincian: | Paket Kaset, Jar, Film |
| Waktu pengiriman: | 1-4 minggu |
| Syarat-syarat pembayaran: | T/T |
| Menyediakan kemampuan: | 10.000 buah/bulan |
|
Informasi Detail |
|||
| Bahan: | Wafer Kristal Safir | Jenis Potong: | Sumbu C [0001], Sumbu R [1-102], Sumbu A [11-20], Sumbu M [10-10] |
|---|---|---|---|
| Jangkauan Transmisi: | 0,17 hingga 5,5 mikron | Indeks bias: | 1,75449 (o) 1,74663 (e) pada 1,06 mikron |
| TTV: | ＜10um | busur: | ＜15um |
| Melengkung: | ＜15um | Konstanta Dielektrik: | 11,5 (sumbu C paralel) 9,4 (sumbu C tegak lurus) pada 1MHz |
| Menyoroti: | Wafer Kristal Safir yang Dipoles,Wafer Safir yang Dipoles Bidang C,Wafer Substrat Safir 2 Inci |
||
Deskripsi Produk
2 Inch Sapphire Crystal C Plane Polished Sapphire Wafers Sapphire Substrat
Spesifikasi:
Kristal tunggal Al2O3 99.999％
Orientasi: sumbu R 0,5°
Diameter:50,8±0,1mm
Ketebalan: 430±15um atau 330±15um
Flat primer: 16 ± 1mm
OF Orientation flat: Off R to C axis 45°±0.1° C-plane(0001)
Kekasaran Permukaan Bagian Depan: Ra＜0,2nm
Kekasaran Permukaan Bagian Belakang: 0,8~1,2um (Atau sisi ganda dipoles, kedua sisi Ra＜0,2nm)
TTV:＜10um BOW:-10~0um WARP:＜10um
Laser Mark Series No. sesuai kebutuhan
Paket:Wadah bersegel vakum dengan isi ulang nitrogen di lingkungan kelas 100
Kebersihan : Bebas kontaminasi yang terlihat
1. Safir memiliki transmisi optik yang tinggi, sehingga banyak digunakan sebagai bahan dielektrik tabung mikroelektronik, elemen konduksi ultrasonik, rongga laser pandu gelombang, dan elemen optik lainnya, sebagai bahan jendela untuk perangkat militer inframerah, kendaraan luar angkasa, laser intensitas tinggi, dan optik komunikasi.
2. Safir memiliki kekakuan tinggi, kekuatan tinggi, suhu kerja tinggi, ketahanan abrasi, karakteristik ketahanan korosi, sehingga substrat safir sering digunakan di lingkungan yang keras, seperti pengukur air ketel (tahan suhu tinggi), pemindai kode batang komoditas, bantalan, dan manufaktur presisi lainnya (ketahanan aus), batu bara, gas, sensor deteksi sumur dan jendela detektor (anti korosi).
3. Sapphire memiliki karakteristik insulasi listrik, transparansi, konduktivitas termal yang baik, dan kekakuan tinggi, sehingga dapat digunakan sebagai bahan substrat sirkuit terpadu, seperti sirkuit LED dan mikroelektronika, sirkuit terpadu berkecepatan sangat tinggi.
| SIFAT OPTIK SAPPHIRE Al2O3 | |
|
Jangkauan Transmisi |
0,17 hingga 5,5 mikron |
|
Indeks bias |
1,75449 (o) 1,74663 (e) pada 1,06 mikron |
|
Kehilangan Refleksi |
pada 1,06 mikron (2 permukaan) untuk o-ray - 11,7%;untuk e-ray - 14,2% |
|
Indeks Penyerapan |
0,3 x 10-3 cm-1 pada 2,4 mikron |
|
dN/dT |
13,7 x 10-6 pada 5,4 mikron |
|
dn/dm = 0 |
1,5 mikron |
| SIFAT FISIK SAPPHIRE Al2O3 | |
|
Kepadatan |
3,97 g/cm23 |
|
Titik lebur |
2040 derajat C |
|
Konduktivitas termal |
27,21 W/(mxK) pada 300 K |
|
Ekspansi termal |
5,6x10-6/K (sumbu C paralel) & 5.0 (sumbu C tegak lurus) x 10-6/ K |
|
Kekerasan |
Knop 2000 kg/mm2dengan indentor 2000g |
|
Kapasitas panas spesifik |
419 J/(kg x K) |
|
Konstanta Dielektrik |
11,5 (sumbu C paralel) 9,4 (sumbu C tegak lurus) pada 1MHz |
|
Modulus Young (E) |
335 GPa |
|
Modulus Geser (G) |
148.1 GPa |
|
Modulus Massal (K) |
240 GPa |
|
Koefisien Elastis |
C11=496 C12=164 C13=115 |
|
Batas Elastis yang Jelas |
275 MPa (40.000 psi) |
|
Rasio Poisson |
0,25 |
Cek Penerimaan