 |
Sapphire Windows Piezoelectric Wafer Semikonduktor Tahan Gores
Detail produk:
| Tempat asal: | CINA |
| Nama merek: | BonTek |
| Sertifikasi: | ISO:9001 |
| Nomor model: | Safir (Al2O3) |
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
| Kuantitas min Order: | 5 buah |
|---|---|
| Harga: | Dapat dinegosiasikan |
| Kemasan rincian: | Paket Kaset, Jar, Film |
| Waktu pengiriman: | 1-4 minggu |
| Syarat-syarat pembayaran: | T/T |
| Menyediakan kemampuan: | 10.000 buah/bulan |
|
Informasi Detail |
|||
| Bahan: | Jendela Safir | Pertumbuhan: | Metode Kyropoulos |
|---|---|---|---|
| Titik lebur: | 2040 °C | Konduktivitas termal: | 27,21 W/(mxK) pada 300 K |
| Ekspansi termal: | 5,6 x 10 -6 /K (sumbu C paralel) & 5,0 (sumbu C tegak lurus) x 10 -6 /K | Kekerasan: | Knoop 2000 kg/mm 2 dengan indentor 2000g |
| Kapasitas panas spesifik: | 419 J/(kg x K) | Konstanta Dielektrik: | 11,5 (sumbu C paralel) 9,4 (sumbu C tegak lurus) pada 1MHz |
| Menyoroti: | Wafer Piezoelektrik Semikonduktor,Wafer Piezoelektrik Jendela Safir,Wafer Safir Tahan Gores |
||
Deskripsi Produk
Semikonduktor Sapphire Wafer Sapphire Windows Piezoelectric Wafer
Sapphire adalah bahan kombinasi unik dari sifat fisik, kimia dan optik, yang membuatnya tahan terhadap suhu tinggi, kejutan termal, erosi air dan pasir, dan goresan.Ini adalah bahan jendela superior untuk banyak aplikasi IR dari 3µm hingga 5µm.Substrat safir bidang-C banyak digunakan untuk menumbuhkan senyawa III-V dan II-VI seperti GaN untuk LED biru dan dioda laser, sedangkan substrat safir bidang-R digunakan untuk deposisi hetero-epitaxial silikon untuk aplikasi IC mikroelektronik.
|
Barang |
C-plane 3 inci (0001) Wafer Sapphire 500μm |
|
|
Bahan Kristal |
99,999%, Kemurnian Tinggi, Al2O3 Monokristalin |
|
|
Nilai |
Perdana, Epi-Ready |
|
|
Orientasi Permukaan |
C-pesawat (0001) |
|
|
C-plane off-angle menuju sumbu M 0,2 +/- 0,1° |
||
|
Diameter |
76,2 mm +/- 0,1 mm |
|
|
Ketebalan |
500 μm +/- 25 μm |
|
|
Orientasi Datar Primer |
Bidang A (11-20) +/- 0,2° |
|
|
Panjang Datar Primer |
22,0 mm +/- 1,0 mm |
|
|
Satu Sisi Dipoles |
Permukaan Depan |
Epi-dipoles, Ra <0,2 nm (oleh AFM) |
|
(SSP) |
Permukaan Belakang |
Tanah halus, Ra = 0,8 μm hingga 1,2 μm |
|
Sisi Ganda Dipoles |
Permukaan Depan |
Epi-dipoles, Ra <0,2 nm (oleh AFM) |
|
(DSP) |
Permukaan Belakang |
Epi-dipoles, Ra <0,2 nm (oleh AFM) |
|
TTV |
<15 μm |
|
|
BUSUR |
<15 μm |
|
|
MELENGKUNG |
<15 μm |
|
|
Pembersihan / Pengemasan |
Pembersihan ruang bersih kelas 100 dan pengemasan vakum, |
|
|
25 buah dalam satu kemasan kaset atau kemasan satu bagian. |
||
|
Barang |
C-plane 4 inci (0001) Wafer Sapphire 650μm |
|
|
Bahan Kristal |
99,999%, Kemurnian Tinggi, Al2O3 Monokristalin |
|
|
Nilai |
Perdana, Epi-Ready |
|
|
Orientasi Permukaan |
C-pesawat (0001) |
|
|
C-plane off-angle menuju sumbu M 0,2 +/- 0,1° |
||
|
Diameter |
100,0 mm +/- 0,1 mm |
|
|
Ketebalan |
650 μm +/- 25 μm |
|
|
Orientasi Datar Primer |
Bidang A (11-20) +/- 0,2° |
|
|
Panjang Datar Primer |
30,0 mm +/- 1,0 mm |
|
|
Satu Sisi Dipoles |
Permukaan Depan |
Epi-dipoles, Ra <0,2 nm (oleh AFM) |
|
(SSP) |
Permukaan Belakang |
Tanah halus, Ra = 0,8 μm hingga 1,2 μm |
|
Sisi Ganda Dipoles |
Permukaan Depan |
Epi-dipoles, Ra <0,2 nm (oleh AFM) |
|
(DSP) |
Permukaan Belakang |
Epi-dipoles, Ra <0,2 nm (oleh AFM) |
|
TTV |
<20 μm |
|
|
BUSUR |
<20 μm |
|
|
MELENGKUNG |
<20 μm |
|
|
Pembersihan / Pengemasan |
Pembersihan ruang bersih kelas 100 dan pengemasan vakum, |
|
|
25 buah dalam satu kemasan kaset atau kemasan satu bagian. |
||
|
Barang |
C-plane 6 inci (0001) Wafer Sapphire 1300μm |
|
|
Bahan Kristal |
99,999%, Kemurnian Tinggi, Al2O3 Monokristalin |
|
|
Nilai |
Perdana, Epi-Ready |
|
|
Orientasi Permukaan |
C-pesawat (0001) |
|
|
C-plane off-angle menuju sumbu M 0,2 +/- 0,1° |
||
|
Diameter |
150,0 mm +/- 0,2 mm |
|
|
Ketebalan |
1300 μm +/- 25 μm |
|
|
Orientasi Datar Primer |
Bidang A (11-20) +/- 0,2° |
|
|
Panjang Datar Primer |
47,0 mm +/- 1,0 mm |
|
|
Satu Sisi Dipoles |
Permukaan Depan |
Epi-dipoles, Ra <0,2 nm (oleh AFM) |
|
(SSP) |
Permukaan Belakang |
Tanah halus, Ra = 0,8 μm hingga 1,2 μm |
|
Sisi Ganda Dipoles |
Permukaan Depan |
Epi-dipoles, Ra <0,2 nm (oleh AFM) |
|
(DSP) |
Permukaan Belakang |
Epi-dipoles, Ra <0,2 nm (oleh AFM) |
|
TTV |
<25 μm |
|
|
BUSUR |
<25 μm |
|
|
MELENGKUNG |
<25 μm |
|
|
Pembersihan / Pengemasan |
Pembersihan ruang bersih kelas 100 dan pengemasan vakum, |
|
|
25 buah dalam satu kemasan kaset atau kemasan satu bagian. |
||
Cek Penerimaan