• Safir Tahan Tinggi Dipoles Wafer Kristal Optik C-Plane 3 Inci
  • Safir Tahan Tinggi Dipoles Wafer Kristal Optik C-Plane 3 Inci
Safir Tahan Tinggi Dipoles Wafer Kristal Optik C-Plane 3 Inci

Safir Tahan Tinggi Dipoles Wafer Kristal Optik C-Plane 3 Inci

Detail produk:

Tempat asal: Cina
Nama merek: BonTek
Sertifikasi: ISO:9001
Nomor model: Safir (Al2O3)

Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:

Kuantitas min Order: 5 buah
Harga: Dapat dinegosiasikan
Kemasan rincian: Paket Kaset, Jar, Film
Waktu pengiriman: 1-4 minggu
Syarat-syarat pembayaran: T/T
Menyediakan kemampuan: 10.000 buah/bulan
Harga terbaik Kontak

Informasi Detail

Bahan: Wafer Safir metode pertumbuhan: Metode Kyropoulos
Titik lebur: 2040 °C Konduktivitas termal: 27,21 W/(mxK) pada 300 K
CTE: 5,6 x 10 -6 /K (sumbu C paralel) & 5,0 (sumbu C tegak lurus) x 10 -6 /K Kekerasan: Knoop 2000 kg/mm ​​2 dengan indentor 2000g
Kapasitas panas spesifik: 419 J/(kg x K) Dielektrik Const.: 11,5 (sumbu C paralel) 9,4 (sumbu C tegak lurus) pada 1MHz
Menyoroti:

Sapphire Polished Wafer 3 Inch

,

High Resistance Sapphire Polished Wafer

,

C Plane Optical Crystal Sapphire Wafer

Deskripsi Produk

Safir Tahan Tinggi Dipoles Wafer Kristal Optik C-Plane 3 Inci

 

Safir adalah kristal alumina tunggal dan merupakan bahan terkeras kedua di alam, setelah intan.Sapphire memiliki transmisi cahaya yang baik, kekuatan tinggi, ketahanan benturan, ketahanan aus, ketahanan korosi dan suhu tinggi dan tahan tekanan tinggi, biokompatibilitas, merupakan bahan substrat yang ideal untuk produksi perangkat optoelektronik semikonduktor, sifat listrik safir membuatnya menjadi substrat bahan untuk produksi LED putih dan biru.

 

Safir Tahan Tinggi Dipoles Wafer Kristal Optik C-Plane 3 Inci 0Safir Tahan Tinggi Dipoles Wafer Kristal Optik C-Plane 3 Inci 1Safir Tahan Tinggi Dipoles Wafer Kristal Optik C-Plane 3 Inci 2

 

Barang

C-plane 3 inci (0001) Wafer Sapphire 500μm

Bahan Kristal

99,999%, Kemurnian Tinggi, Al2O3 Monokristalin

Nilai

Perdana, Epi-Ready

Orientasi Permukaan

C-pesawat (0001)

C-plane off-angle menuju sumbu M 0,2 +/- 0,1°

Diameter

76,2 mm +/- 0,1 mm

Ketebalan

500 μm +/- 25 μm

Orientasi Datar Primer

Bidang A (11-20) +/- 0,2°

Panjang Datar Primer

22,0 mm +/- 1,0 mm

Satu Sisi Dipoles

Permukaan Depan

Epi-dipoles, Ra <0,2 nm (oleh AFM)

(SSP)

Permukaan Belakang

Tanah halus, Ra = 0,8 μm hingga 1,2 μm

Sisi Ganda Dipoles

Permukaan Depan

Epi-dipoles, Ra <0,2 nm (oleh AFM)

(DSP)

Permukaan Belakang

Epi-dipoles, Ra <0,2 nm (oleh AFM)

TTV

<15 μm

BUSUR

<15 μm

MELENGKUNG

<15 μm

Pembersihan / Pengemasan

Pembersihan ruang bersih kelas 100 dan pengemasan vakum,

25 buah dalam satu kemasan kaset atau kemasan satu bagian.

 

Barang

C-plane 4 inci (0001) Wafer Sapphire 650μm

Bahan Kristal

99,999%, Kemurnian Tinggi, Al2O3 Monokristalin

Nilai

Perdana, Epi-Ready

Orientasi Permukaan

C-pesawat (0001)

C-plane off-angle menuju sumbu M 0,2 +/- 0,1°

Diameter

100,0 mm +/- 0,1 mm

Ketebalan

650 μm +/- 25 μm

Orientasi Datar Primer

Bidang A (11-20) +/- 0,2°

Panjang Datar Primer

30,0 mm +/- 1,0 mm

Satu Sisi Dipoles

Permukaan Depan

Epi-dipoles, Ra <0,2 nm (oleh AFM)

(SSP)

Permukaan Belakang

Tanah halus, Ra = 0,8 μm hingga 1,2 μm

Sisi Ganda Dipoles

Permukaan Depan

Epi-dipoles, Ra <0,2 nm (oleh AFM)

(DSP)

Permukaan Belakang

Epi-dipoles, Ra <0,2 nm (oleh AFM)

TTV

<20 μm

BUSUR

<20 μm

MELENGKUNG

<20 μm

Pembersihan / Pengemasan

Pembersihan ruang bersih kelas 100 dan pengemasan vakum,

25 buah dalam satu kemasan kaset atau kemasan satu bagian.

 

Barang

C-plane 6 inci (0001) Wafer Sapphire 1300μm

Bahan Kristal

99,999%, Kemurnian Tinggi, Al2O3 Monokristalin

Nilai

Perdana, Epi-Ready

Orientasi Permukaan

C-pesawat (0001)

C-plane off-angle menuju sumbu M 0,2 +/- 0,1°

Diameter

150,0 mm +/- 0,2 mm

Ketebalan

1300 μm +/- 25 μm

Orientasi Datar Primer

Bidang A (11-20) +/- 0,2°

Panjang Datar Primer

47,0 mm +/- 1,0 mm

Satu Sisi Dipoles

Permukaan Depan

Epi-dipoles, Ra <0,2 nm (oleh AFM)

(SSP)

Permukaan Belakang

Tanah halus, Ra = 0,8 μm hingga 1,2 μm

Sisi Ganda Dipoles

Permukaan Depan

Epi-dipoles, Ra <0,2 nm (oleh AFM)

(DSP)

Permukaan Belakang

Epi-dipoles, Ra <0,2 nm (oleh AFM)

TTV

<25 μm

BUSUR

<25 μm

MELENGKUNG

<25 μm

Pembersihan / Pengemasan

Pembersihan ruang bersih kelas 100 dan pengemasan vakum,

25 buah dalam satu kemasan kaset atau kemasan satu bagian.

 

Safir Tahan Tinggi Dipoles Wafer Kristal Optik C-Plane 3 Inci 3

 

Cek Penerimaan

Safir Tahan Tinggi Dipoles Wafer Kristal Optik C-Plane 3 Inci 4

 

1. Produk ini rapuh.Kami telah mengemasnya dengan baik dan memberi label rapuh.Kami mengirimkan melalui perusahaan ekspres domestik dan internasional yang sangat baik untuk memastikan kualitas transportasi.

 

2. Setelah menerima barang, harap tangani dengan hati-hati dan periksa apakah karton luar dalam kondisi baik.Buka karton luar dengan hati-hati dan periksa apakah kotak kemasan sudah sejajar.Ambil gambar sebelum Anda mengeluarkannya.

 

3. Silakan buka paket vakum di ruangan yang bersih saat produk akan diaplikasikan.

 

4. Jika produk ditemukan rusak selama kurir, harap segera ambil gambar atau rekam video.JANGAN keluarkan produk yang rusak dari kotak kemasan!Hubungi kami segera dan kami akan menyelesaikan masalah dengan baik.

Ingin Tahu lebih detail tentang produk ini
Safir Tahan Tinggi Dipoles Wafer Kristal Optik C-Plane 3 Inci bisakah Anda mengirimkan saya lebih banyak detail seperti jenis, ukuran, jumlah, bahan, dll.
Terima kasih!
Menunggu jawaban Anda.