 |
3 Inch Dia 76.2mm Jendela Kristal Substrat Safir Optik
Detail produk:
| Tempat asal: | Cina |
| Nama merek: | BonTek |
| Sertifikasi: | ISO:9001 |
| Nomor model: | Safir (Al2O3) |
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
| Kuantitas min Order: | 5 buah |
|---|---|
| Harga: | Dapat dinegosiasikan |
| Kemasan rincian: | Paket Kaset, Jar, Film |
| Waktu pengiriman: | 1-4 minggu |
| Syarat-syarat pembayaran: | T/T |
| Menyediakan kemampuan: | 10.000 buah/bulan |
|
Informasi Detail |
|||
| Bahan: | Wafer Al2O3 | Kemurnian: | 99.999％ |
|---|---|---|---|
| Titik lebur: | 2040 °C | Konduktivitas termal: | 27,21 W/(mxK) pada 300 K |
| Diameter: | 3 inci, 76,2mm | Kekerasan: | 9.0 Moh |
| Kapasitas panas spesifik: | 419 J/(kg x K) | Konstanta Dielektrik: | 11,5 (sumbu C paralel) 9,4 (sumbu C tegak lurus) pada 1MHz |
| Menyoroti: | Jendela Kristal Optik Substrat Safir,Wafer Substrat Safir 3 Inci,Wafer Safir Dia 76.2mm |
||
Deskripsi Produk
3 Inch Dia 76.2mm Jendela Kristal Substrat Safir Optik
Safir kristal tunggal Al2O3 memiliki kombinasi unik dari sifat optik, fisik, dan kimia yang sangat baik.Kristal oksida yang paling keras, safir Al2O3 mempertahankan kekuatannya yang tinggi pada suhu tinggi, memiliki sifat termal yang baik, dan transparansi yang sangat baik.Optik Sapphire Al2O3 secara kimia tahan terhadap banyak asam dan alkali pada suhu hingga 1000 derajat C serta HF di bawah 300 derajat C. Sifat ini mendorong penggunaan optik Sapphire Al2O3 secara luas di lingkungan yang tidak bersahabat di mana transmisi optik berada dalam kisaran dari yang terlihat ke inframerah dekat diperlukan.
|
Barang |
C-plane 3 inci (0001) Wafer Sapphire 650μm |
|
|
Bahan Kristal |
99,999%, Kemurnian Tinggi, Al2O3 Monokristalin |
|
|
Nilai |
Perdana, Epi-Ready |
|
|
Orientasi Permukaan |
C-pesawat (0001) |
|
|
C-plane off-angle menuju sumbu M 0,2 +/- 0,1° |
||
|
Diameter |
76,2 mm +/- 0,1 mm |
|
|
Ketebalan |
650 μm +/- 25 μm |
|
|
Orientasi Datar Primer |
Bidang A (11-20) +/- 0,2° |
|
|
Panjang Datar Primer |
22,0 mm +/- 1,0 mm |
|
|
Satu Sisi Dipoles |
Permukaan Depan |
Epi-dipoles, Ra <0,2 nm (oleh AFM) |
|
(SSP) |
Permukaan Belakang |
Tanah halus, Ra = 0,8 μm hingga 1,2 μm |
|
Sisi Ganda Dipoles |
Permukaan Depan |
Epi-dipoles, Ra <0,2 nm (oleh AFM) |
|
(DSP) |
Permukaan Belakang |
Epi-dipoles, Ra <0,2 nm (oleh AFM) |
|
TTV |
<20 μm |
|
|
BUSUR |
<20 μm |
|
|
MELENGKUNG |
<20 μm |
|
|
Pembersihan / Pengemasan |
Pembersihan ruang bersih kelas 100 dan pengemasan vakum, pengemasan satu bagian. |
|
| SIFAT FISIK SAPPHIRE Al2O3 | |
| Kepadatan | 3,97 g/cm23 |
| Titik lebur | 2040 derajat C |
| Konduktivitas termal | 27,21 W/(mxK) pada 300 K |
| Ekspansi termal | 5,6x10-6/K (sumbu C paralel) & 5.0 (sumbu C tegak lurus) x 10-6/ K |
| Kekerasan | Knop 2000 kg/mm2dengan indentor 2000g |
| Kapasitas panas spesifik | 419 J/(kg x K) |
| Konstanta Dielektrik | 11,5 (sumbu C paralel) 9,4 (sumbu C tegak lurus) pada 1MHz |
| Modulus Young (E) | 335 GPa |
| Modulus Geser (G) | 148.1 GPa |
| Modulus Massal (K) | 240 GPa |
| Koefisien Elastis | C11=496 C12=164 C13=115 C33=498 C44=148 |
| Batas Elastis yang Jelas | 275 MPa (40.000 psi) |
| Rasio Poisson | 0,25 |
Cek Penerimaan