 
|
Wafer LNOI 4 Inci Mencapai Integrasi Fotonik Ringkas
Detail produk:
| Tempat asal: | Cina |
| Nama merek: | BonTek |
| Sertifikasi: | ISO:9001, ISO:14001 |
| Nomor model: | Wafer LNOI |
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
| Kuantitas min Order: | 25 buah |
|---|---|
| Harga: | $2000/pc |
| Kemasan rincian: | Paket Kaset/ Jar, disegel vakum |
| Waktu pengiriman: | 1-4 minggu |
| Syarat-syarat pembayaran: | T/T |
| Menyediakan kemampuan: | 50000 buah/bulan |
|
Informasi Detail |
|||
| Produk: | LiNbO3 Pada Isolator | Diameter: | 4 inci, Φ100mm |
|---|---|---|---|
| Lapisan atas: | Litium Niobat | Ketebalan atas: | 300~600nm |
| Insolasi: | Oksida Termal SiO2 | Ketebalan insolasi: | 2000±15nm; 2000±15nm; 3000±50nm; 3000±50nm; 4700±100nm 4700±10 |
| Substrat: | silikon | Aplikasi: | pandu gelombang optik dan pandu gelombang mikro |
| Menyoroti: | Wafer Piezoelektrik LNOI,Wafer LNOI 4 Inci,LiNbO3 300nm Pada Insulator |
||
Deskripsi Produk
Mencapai Integrasi Fotonik Ringkas Dengan Wafer LNOI 4 Inci
LNOI adalah singkatan dari Lithium Niobate on Insulator, yang merupakan teknologi substrat khusus yang digunakan dalam bidang fotonik terintegrasi.Substrat LNOI dibuat dengan mentransfer lapisan tipis kristal lithium niobate (LiNbO3) ke substrat isolasi, biasanya silikon dioksida (SiO2) atau silikon nitrida (Si3N4).Teknologi ini menawarkan keunggulan unik untuk pengembangan perangkat fotonik yang ringkas dan berperforma tinggi.
Pembuatan substrat LNOI melibatkan pengikatan lapisan tipis LiNbO3 ke lapisan isolasi menggunakan teknik seperti pengikatan wafer atau pemotongan ion.Ini menghasilkan struktur di mana LiNbO3 ditangguhkan pada substrat non-konduktif, memberikan isolasi listrik dan mengurangi kerugian pandu gelombang optik.
Aplikasi LNOI:
- Fotonik Terintegrasi
- Komunikasi Optik
- Penginderaan dan Metrologi
- Optik Kuantum
| Wafer LNOI | |||
| Struktur | LN / SiO2/ Si | LTV/PLTV | < 1,5 μm ( 5∗5 mm2) / 95% |
| Diameter | Φ100 ± 0,2 mm | Pengecualian Tepi | 5 mm |
| Ketebalan | 500 ± 20 μm | Busur | Dalam 50 μm |
| Panjang Datar Primer | 47,5 ± 2 mm 57,5 ± 2 mm |
Pemangkasan Tepi | 2 ± 0,5 mm |
| Bevel Wafer | Tipe R | Lingkungan | Roh 2.0 |
| Lapisan LN Atas | |||
| Ketebalan Rata-Rata | 400/600±10 nm | Keseragaman | <40nm @17 Poin |
| Indeks refraksi | tidak > 2.2800, ne < 2.2100 @ 633 nm | Orientasi | Sumbu X ± 0,3° |
| Nilai | Optik | Permukaan Ra | <0,5 nm |
| Cacat | > 1mm Tidak ada; ≦1 mm Dalam 300 total |
Delaminasi | Tidak ada |
| Menggores | >1cm Tidak ada; ≦1cm Dalam 3 |
Flat Primer | Tegak lurus terhadap Sumbu +Y ± 1° |
| SiO isolasi2Lapisan | |||
| Ketebalan Rata-Rata | 2000nm ± 15nm 3000nm ± 50nm 4700nm ± 100nm | Keseragaman | < ±1% @17 Poin |
| luar biasametode | Oksida Termal | Indeks refraksi | 1,45-1,47 @ 633 nm |
| Substrat | |||
| Bahan | Ya | Orientasi | <100> ± 1° |
| Orientasi Datar Primer | <110> ± 1° | Resistivitas | > 10 kΩ·cm |
| Kontaminasi Belakang | Tidak ada noda yang terlihat | Bagian belakang | Mengetsa |
