 
|
Modulasi Kecepatan Tinggi Dan Wafer Piezoelektrik Bandwidth Lebar Dengan LNOI POI
Detail produk:
| Tempat asal: | Cina |
| Nama merek: | BonTek |
| Sertifikasi: | ISO:9001, ISO:14001 |
| Nomor model: | Wafer LNOI |
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
| Kuantitas min Order: | 25 buah |
|---|---|
| Harga: | $2000/pc |
| Kemasan rincian: | Paket Kaset/ Jar, disegel vakum |
| Waktu pengiriman: | 1-4 minggu |
| Syarat-syarat pembayaran: | T/T |
| Menyediakan kemampuan: | 1000 buah/bulan |
|
Informasi Detail |
|||
| Produk: | Piezo Pada Isolasi | Diameter: | 4 inci, 6 inci |
|---|---|---|---|
| Lapisan atas: | Litium Niobat | Ketebalan atas: | 300~600nm |
| Insolasi: | Oksida Termal SiO2 | Ketebalan insolasi: | 2000±15nm; 2000±15nm; 3000±50nm; 3000±50nm; 4700±100nm 4700±10 |
| Substrat: | silikon | Aplikasi: | pandu gelombang optik dan pandu gelombang mikro |
| Menyoroti: | Wafer Piezoelektrik Modulasi Kecepatan Tinggi,Wafer Piezoelektrik Bandwidth Lebar,Wafer Piezoelektrik LNOI POI |
||
Deskripsi Produk
Mengaktifkan Modulasi Berkecepatan Tinggi Dan Bandwidth Lebar Dengan LNOI POI
Piezo on Insulation (POI) mengacu pada teknologi di mana bahan piezoelektrik diintegrasikan ke substrat isolasi.Hal ini memungkinkan pemanfaatan efek piezoelektrik sambil memberikan isolasi listrik.Teknologi POI memungkinkan pengembangan berbagai perangkat dan sistem yang memanfaatkan sifat unik bahan piezoelektrik untuk penginderaan, aktuasi, dan aplikasi pemanenan energi.
Teknologi POI (Piezo on Insulation) menemukan berbagai aplikasi di berbagai bidang karena kemampuannya menggabungkan keunggulan bahan piezoelektrik dengan isolasi listrik.Seperti sensor, Sistem Mikroelektromekanis dan Penyimpanan dan Pembangkitan Energi.
Keserbagunaan mengintegrasikan bahan piezoelektrik ke substrat isolasi membuka kemungkinan untuk solusi inovatif di berbagai bidang, termasuk elektronik, energi, perawatan kesehatan, dan banyak lagi.
| Wafer LNOI | |||
| Struktur | LN / SiO2/ Si | LTV/PLTV | < 1,5 μm ( 5∗5 mm2) / 95% |
| Diameter | Φ100 ± 0,2 mm | Pengecualian Tepi | 5 mm |
| Ketebalan | 500 ± 20 μm | Busur | Dalam 50 μm |
| Panjang Datar Primer | 47,5 ± 2 mm 57,5 ± 2 mm |
Pemangkasan Tepi | 2 ± 0,5 mm |
| Bevel Wafer | Tipe R | Lingkungan | Roh 2.0 |
| Lapisan LN Atas | |||
| Ketebalan Rata-Rata | 400/600±10 nm | Keseragaman | <40nm @17 Poin |
| Indeks refraksi | tidak > 2.2800, ne < 2.2100 @ 633 nm | Orientasi | Sumbu X ± 0,3° |
| Nilai | Optik | Permukaan Ra | <0,5 nm |
| Cacat | > 1mm Tidak ada; ≦1 mm Dalam 300 total |
Delaminasi | Tidak ada |
| Menggores | >1cm Tidak ada; ≦1cm Dalam 3 |
Flat Primer | Tegak lurus terhadap Sumbu +Y ± 1° |
| SiO isolasi2Lapisan | |||
| Ketebalan Rata-Rata | 2000nm ± 15nm 3000nm ± 50nm 4700nm ± 100nm | Keseragaman | < ±1% @17 Poin |
| luar biasametode | Oksida Termal | Indeks refraksi | 1,45-1,47 @ 633 nm |
| Substrat | |||
| Bahan | Ya | Orientasi | <100> ± 1° |
| Orientasi Datar Primer | <110> ± 1° | Resistivitas | > 10 kΩ·cm |
| Kontaminasi Belakang | Tidak ada noda yang terlihat | Bagian belakang | Mengetsa |
