 
|
Membuka Kunci Lithium Tantalate On Insulator ( LTOI ) Untuk Aplikasi Fotonik Tingkat Lanjut
Detail produk:
| Tempat asal: | Cina |
| Nama merek: | BonTek |
| Sertifikasi: | ISO:9001, ISO:14001 |
| Nomor model: | Wafer LNOI |
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
| Kuantitas min Order: | 25 buah |
|---|---|
| Harga: | $2000/pc |
| Kemasan rincian: | Paket Kaset/ Jar, disegel vakum |
| Waktu pengiriman: | 1-4 minggu |
| Syarat-syarat pembayaran: | T/T |
| Menyediakan kemampuan: | 50000 buah/bulan |
|
Informasi Detail |
|||
| Produk: | LiTaO3 Pada Insulator | Diameter: | 4 inci, Φ100mm |
|---|---|---|---|
| Lapisan atas: | Litium Tantalat | Ketebalan atas: | 300~600nm |
| Insolasi: | Oksida Termal SiO2 | Ketebalan insolasi: | 2000±15nm; 2000±15nm; 3000±50nm; 3000±50nm; 4700±100nm 4700±10 |
| Substrat: | Wafer Silikon | Aplikasi: | pandu gelombang optik dan pandu gelombang mikro |
| Menyoroti: | Photonic Lithium Tantalate On Insulator,LTOI Piezoelectric Wafer |
||
Deskripsi Produk
Membuka Potensi Lithium Tantalate on Insulator (LTOI) untuk Aplikasi Fotonik Tingkat Lanjut
LTOI adalah singkatan dari Lithium Tantalate on Insulator, adalah teknologi substrat khusus yang digunakan dalam bidang fotonik terintegrasi.Ini melibatkan transfer lapisan tipis kristal lithium tantalate (LiTaO3) ke substrat isolasi, biasanya silikon dioksida (SiO2) atau silikon nitrida (Si3N4).Substrat LTOI menawarkan keunggulan unik untuk pengembangan perangkat fotonik yang ringkas dan berkinerja tinggi.
Substrat LTOI dibuat melalui proses ikatan di mana lapisan tipis kristal lithium tantalate ditransfer ke substrat isolasi.Proses ini dapat dicapai melalui berbagai teknik, termasuk ikatan wafer atau pemotongan ion, memastikan ikatan yang kuat antar lapisan.
Substrat LTOI menawarkan keunggulan unik untuk aplikasi fotonik tingkat lanjut.Pemanfaatannya dalam modulator elektro-optik, pandu gelombang, perangkat optik nonlinier, sensor, fotonika kuantum, dan sirkuit fotonika terintegrasi menunjukkan berbagai aplikasi dan potensi untuk mendorong batas-batas teknologi fotonika terintegrasi.
| Wafer LTOI | |||
| Struktur | LiTaO3 / SiO2/ Si | LTV/PLTV | < 1,5 μm ( 5∗5 mm2) / 95% |
| Diameter | Φ100 ± 0,2 mm | Pengecualian Tepi | 5 mm |
| Ketebalan | 500 ± 20 μm | Busur | Dalam 50 μm |
| Panjang Datar Primer | 47,5 ± 2 mm 57,5 ± 2 mm |
Pemangkasan Tepi | 2 ± 0,5 mm |
| Bevel Wafer | Tipe R | Lingkungan | Roh 2.0 |
| Lapisan LT Atas | |||
| Ketebalan Rata-Rata | 400/600±10 nm | Keseragaman | <40nm @17 Poin |
| Indeks refraksi | tidak > 2.2800, ne < 2.2100 @ 633 nm | Orientasi | Sumbu Z ± 0,3° |
| Nilai | Optik | Permukaan Ra | <0,5 nm |
| Cacat | > 1mm Tidak ada; ≦1 mm Dalam 300 total |
Delaminasi | Tidak ada |
| Menggores | >1cm Tidak ada; ≦1cm Dalam 3 |
Flat Primer | Tegak lurus terhadap Sumbu +Y ± 1° |
| SiO isolasi2Lapisan | |||
| Ketebalan Rata-Rata | 2000nm ± 15nm 3000nm ± 50nm 4700nm ± 100nm | Keseragaman | < ±1% @17 Poin |
| luar biasametode | Oksida Termal | Indeks refraksi | 1,45-1,47 @ 633 nm |
| Substrat | |||
| Bahan | Ya | Orientasi | <100> ± 1° |
| Orientasi Datar Primer | <110> ± 1° | Resistivitas | > 10 kΩ·cm |
| Kontaminasi Belakang | Tidak ada noda yang terlihat | Bagian belakang | Mengetsa |
