 |
4 Inch 6 Inch LNOI Wafer Untuk Komunikasi Optik Kompak Dan Berkinerja Tinggi
Detail produk:
| Tempat asal: | Cina |
| Nama merek: | CQT |
| Sertifikasi: | ISO:9001, ISO:14001 |
| Nomor model: | Wafer LNOI |
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
| Kuantitas min Order: | 10 PCS |
|---|---|
| Harga: | $2000/pc |
| Kemasan rincian: | Paket kaset/ toples, vakum tertutup |
| Waktu pengiriman: | 1-4 minggu |
| Syarat-syarat pembayaran: | T/T |
| Menyediakan kemampuan: | 50000 buah/bulan |
|
Informasi Detail |
|||
| Produk: | LiNbO3 Pada Isolator | Diameter: | 4 inci, 6 inci |
|---|---|---|---|
| Lapisan atas: | Litium Niobat | Ketebalan atas: | 300~600nm |
| Insolasi: | Oksida Termal SiO2 | Ketebalan insolasi: | 2000±15nm; 2000±15nm; 3000±50nm; 3000±50nm; 4700±100nm 4700±10 |
| lapisan pendukung: | Si 、 menyatu silika | Aplikasi: | pandu gelombang optik dan pandu gelombang mikro |
| Menyoroti: | Wafer LNOI 6 inci,Wafer LNOI Komunikasi Optik Berkinerja Tinggi,Wafer LNOI kompak |
||
Deskripsi Produk
4 inci 6- InchWafer LNOI Pilihan yang Sempurna untuk Komunikasi Optik Kompak dan Berkinerja Tinggi
Aku tidak tahu.Revolusi Photonics dengan Wafer LNOI Ultra-Low-LossAku tidak tahu.
Aku tidak tahu.Platform Lithium Niobate-on-Isolator (LNOI) generasi berikutnyaAku tidak tahu.
Buka kinerja yang belum pernah terjadi sebelumnya dalam fotonik terintegrasi dengan wafer LNOI mutakhir kami, dirancang untuk kehilangan optik ultra-rendah dan permukaan kasar sub-nanometer.Mengkombinasikan film tipis LiNbO3 dengan lapisan terkubur SiO2 teroksidasi secara termal, wafer kami mengirimkan Efisiensi nonlinier >30x lebih tinggidibandingkan kristal bulk konvensional, sementara memungkinkan pembuatan yang kompatibel dengan CMOS.
Keuntungan Utama
✓ Kinerja EO Terobosan: Mencapai >100 GHz modulasi bandwidth dengan r33 >30 pm/V, ideal untuk transceiver koheren 800G/1.6T.
✓ Keakuratan Quantum-Ready: Polling periodik khusus (PPLN) dengan kesalahan domain <5 nm untuk generasi foton yang terjerat.
✓ Desain bertenaga keras: Tahan intensitas optik > 10 MW/cm2 (sertifikasi Telcordia GR-468).
Aplikasi
▷ 5G/6G ultra-kompak EO modulator
▷ Sirkuit fotonik topologis & komputasi optik
▷ Konverter frekuensi kuantum (band C/L ke band telekomunikasi)
▷ Detektor fotodetektor LiDAR sensitif tinggi
Spesifikasi Teknis
• Ukuran Wafer: 100/150 mm diameter (2" sampai 6" dapat disesuaikan)
• LiNbO3 Lapisan: X-cut/Z-cut, ketebalan 300±5 nm (standar)
• Oksida terkubur: 1-3 μm SiO2, tegangan pemecahan > 200 V/μm
• Substrat: Si resistivitas tinggi (> 5 kΩ·cm)
| LNOI Wafer | |||
| Struktur | LN / SiO2/ Ya. | LTV / PLTV | < 1,5 μm (5️5 mm295%) |
| Diameter | Φ100 ± 0,2 mm | Eksklusi tepi | 5 mm |
| Ketebalan | 500 ± 20 μm | Bersujudlah | Dalam 50 μm |
| Panjang datar utama | 47.5 ± 2 mm 57.5 ± 2 mm |
Pengelompokan tepi | 2 ± 0,5 mm |
| Wafer Beveling | Tipe R | Lingkungan | Rohs 2.0 |
| Lapisan LN atas | |||
| Ketebalan Rata-rata | 400/600±10 nm | Keseragaman | < 40nm @ 17 poin |
| Indeks refraksi | Tidak > 2.2800, ne < 2,2100 @ 633 nm | Orientasi | sumbu X ± 0,3° |
| Kelas | Optik | Permukaan Ra | < 0,5 nm |
| Cacat | > 1 mm Tidak ada; ️1 mm Dalam total 300 |
Delaminasi | Tidak ada |
| Goresan | > 1 cm Tidak ada ️1cm Dalam 3 |
Flat Utama | Tegak lurus pada sumbu + Y ± 1° |
| Isolasi SiO2Lapisan | |||
| Ketebalan Rata-rata | 2000nm ± 15nm 3000nm ± 50nm 4700nm ± 100nm | Keseragaman | < ± 1% @17 poin |
| Metode Fab. | Oksida termal | Indeks refraksi | 1.45-1.47 @ 633 nm |
| Substrat | |||
| Bahan | Ya. | Orientasi | <100> ± 1° |
| Orientasi Flat Utama | < 110> ± 1° | Resistivitas | > 10 kΩ·cm |
| Kontaminasi Bagian Belakang | Tidak ada noda yang terlihat | Bagian belakang | Etch |
